台積電以成本過高為由,計畫至 2029 年前暫緩採購 ASML 最新一代 High-NA EUV 光刻機。這項決定在 AI 晶片需求旺盛之際,揭露出裝置成本與晶圓代工商業邏輯之間的深層矛盾。
(前情提要:台積電赴美「投資千億美元」再建3晶圓、2先進封裝廠,川普:可避免對臺半導體關稅)
(背景補充:Terafab是什麼?馬斯克喊全球晶片不足需求2%,如何建出「比臺積電還大」的工廠?)
4.1 億美元,這是 ASML 最新旗艦 High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻機)的開價。彭博今(23)日報導,台積電已決定至 2029 年前不部署這款裝置,選擇以現有 EUV 技術(每臺約 1.5 至 2 億歐元)維持先進製程生產線。
台積電高層透露,新一代 High-NA EUV設備「非常、非常昂貴」…。
不過說實話,台積電會缺錢嗎?在 AI 晶片訂單塞爆產能的當下,其算盤可能是當最新裝置的技術優勢還不足以覆蓋溢價成本,更貴的機器未必是更好的投資。
High-NA EUV 值多少錢?
這裡補充一下,EUV(Extreme Ultraviolet,極紫外光刻機)是目前製造 7nm 以下先進晶片的必要裝置,全球唯一供應商是荷蘭的 ASML。
傳統 EUV 機臺的數值孔徑(NA)為 0.33,每臺售價約 1.5 至 2 億歐元;而 High-NA EUV 將 NA 值提升至 0.55,理論上可在晶片上蝕刻更精細的電路線路,是下一世代微影技術的核心。
代價是:售價逾 3.5 億歐元(約 4.1 億美元),幾乎是傳統 EUV 的兩倍。
目前全球 AI 訓練晶片的主流製程,包括 NVIDIA H100 系列所使用的 N4/N3 節點,仍在現有 EUV 技術的能力範圍內。換言之,台積電的核心客戶(NVIDIA、AMD、Apple)在未來幾年的訂單需求,並不需要 High-NA EUV 才能滿足。
最大客戶說不,市場怎麼讀
ASML 每年的 EUV 出貨量有限,而台積電歷來是消化最大份額的買家。這一次,台積電的「暫緩」訊號影響的不只是 ASML 的短期營收,還有整個 High-NA EUV 技術路徑的市場信心。
彭博記者 Neil Campling 指出,現有採購 High-NA EUV 的客戶,英特爾和三星,都面臨各自的挑戰。英特爾正處於製程重整階段,多座工廠進度延遲;三星的先進製程良率問題持續受到關注。
台積電如果是唯一能高效利用 High-NA EUV 的晶圓廠,卻偏偏選擇不買,這對裝置採用的時間表是一記重要的市場訊號。
技術突破的現實面
總的來說,台積電決定至 2029 年前不採購 High-NA EUV,並不意味著這項技術的失敗。更精確的解讀是:現有 EUV 技術與製程最佳化的組合,在未來幾年仍足以應對 AI 晶片的大多數需求。
台積電在 2nm(N2)以下世代的布局,目前仍規劃以傳統 EUV 配合多重曝光(Multiple Patterning)技術完成,而非強制換代到 High-NA EUV。
這讓 ASML 的 High-NA EUV 進入了一個微妙的市場處境:技術上是世代突破,商業上卻面臨最關鍵客戶的觀望。等到台積電下一個技術節點(1.4nm、1nm 世代)確實需要 High-NA EUV 的光學效能時,才是這款裝置真正進入主流市場的起點。
📍相關報導📍
臺積電赴美「投資千億美元」再建3晶圓、2先進封裝廠,川普:可避免對臺半導體關稅
紐時爆料:美降臺關稅至 15% 換臺積電再蓋五座美廠,臺股跳空高開
Terafab是什麼?馬斯克喊全球晶片不足需求2%,如何建出「比臺積電還大」的工廠?

