據外媒 24 日報導，身為輝達（NVIDIA）核心供應商的全球第二大記憶體晶片製造商 SK 海力士（SK hynix），宣布計畫透過發行美股存託憑證（ADR）於納斯達克上市，目標籌資高達 294 億美元。此舉有望打破阿里巴巴的歷史紀錄，所得資金將全數投入 AI 晶片與高頻寬記憶體（HBM）的產能擴建。
（前情提要：太瘋狂！彭博分析師：香港「2 倍做多 SK 海力士 ETF」規模暴增 10 倍，單日交易量破 10 億鎂）
（背景補充：SK 海力士 Q1 營利率 72%，創半導體產業史上最高單季紀錄）
全球人工智慧（AI）浪潮持續帶動硬體軍備競賽，身為輝達（NVIDIA）高頻寬記憶體（HBM）核心供應商的 SK 海力士（SK hynix），正準備在資本市場投下一顆震撼彈。根據外媒於 2026 年 6 月 24 日的最新報導，SK 海力士計畫透過發行美股存託憑證（ADR）在納斯達克（Nasdaq）掛牌上市，預計吸金規模高達 294 億美元。
挑戰史上最大上市案，預計 7 月納斯達克敲鐘
報導指出，本次 SK 海力士預計的籌資規模高達 45.45 兆韓元（約合 294 億至 297 億美元），這不僅將大幅超越中國電商巨頭阿里巴巴於 2014 年創下的 218 億美元紀錄，更有望成為全球史上最大規模的 ADR 上市案。本次發行陣容豪華，由美國銀行（BofA）、花旗集團、高盛與摩根大通等華爾街頂級投行共同主導承銷，並預計最快於 2026 年 7 月 10 日正式在 Nasdaq 開始交易。
在具體發行細節方面，SK 海力士計畫發行 1,779 萬股新股作為 ADR 的基礎，每股 ADR 暫定價為 255,500 韓元（兌換比例為 10 股 ADR 對應 1 股普通股），實際募資總額與最終定價將在簿記建檔（Bookbuilding）完成後敲定。
294 億美元重押 AI，全面擴充 HBM 與先進封裝
針對這筆龐大資金的用途，SK 海力士明確表示將「全數」投入於 AI 相關晶片的產能擴張。具體的戰略藍圖包括：在韓國京畿道龍仁市（Yongin）興建半導體叢集第一廠、在忠清北道清州市（Cheongju）打造名為 P&T7 的先進封裝廠，並大舉採購極紫外光（EUV）微影設備等先進的晶片製造設施。
隨著 AI 晶片需求呈指數級成長，SK 海力士亟需龐大的資本支撐其擴產計畫。市場分析認為，赴美發行 ADR 將有助於 SK 海力士吸引全球機構投資人與 ETF 的被動資金流入，進而推動股價重新估值（Rerating），並在與美光（Micron）等對手的激烈競爭中取得資本與市佔率的雙重優勢。
深化美國 AI 生態系佈局，股價狂飆 280% 逼宮三星
憑藉著 AI 晶片的強勁動能，SK 海力士自今年初以來的股價已狂飆逾 280%，成為推動韓國 Kospi 指數上漲的絕對主力。本週，其市值甚至一度短暫超越科技巨頭三星電子（Samsung Electronics），躍升為韓國市值最大的企業。
業內人士指出，SK 海力士此次叩關納斯達克，不僅是為了解決資本支出的渴求，更是其深化美國 AI 生態系佈局的關鍵一步。這種從晶片製造、技術研發延伸至資本市場的全面綁定策略，宛如 1990 年代艾司摩爾（ASML）與台積電（TSMC）成功打入美國資本市場的歷史翻版，預示著全球半導體版圖正迎來新一輪的洗牌。
