中國長鑫喊年底推 4F² 伺服器記憶體，真領先三星、海力士兩年？

中國 DRAM 廠長鑫表示 4F² 架構研發有進展，並預告年底亮相 DDR5 伺服器記憶體，不過沒有交代產品規格、良率與客戶，領先三星兩年的說法不能照單全收。
（前情提要：中國記憶體雙雄合砸 630 億要擴產，長鑫存儲靠「土法煉鋼」暴力拉高 DDR5 產能）
（背景補充：AI 推高記憶體價格，全球 Q3 電腦出貨少 1,580 萬台，蘋果與華碩跌幅最少）

短期內不會，可中期的壓力是真的。中國最大的 DRAM 廠長鑫存儲（CXMT）近日預告年底推出新一代伺服器記憶體，但沒有公開規格、良率與量產規模。根據 TrendForce 統計，長鑫的全球 DRAM 市占在今年第二季從 7.6% 升到 9.5%，而伺服器記憶體是眼下價格較高、也最缺貨的一塊，過去由三大廠把持，長鑫的客戶則集中在手機與消費電子。

長鑫預告了什麼

長鑫總裁曹堪宇 10 月 10 日在上海舉行的第四屆集成芯片和芯粒大會上，在演講中表示，4F² DRAM 架構的研發取得關鍵進展，預計年底推出融合 4F² 架構與混合鍵合等技術的新一代 DDR5 RDIMM 產品。

什麼是 4F²？DRAM 的一個儲存單元由 1 個電晶體加 1 個電容組成，電容有沒有電荷，代表 1 或 0。F 是微影製程能做出的最小線寬，6F² 與 4F² 講的是一個儲存單元占多大面積。

業界主流是 6F²，改成 4F² 後單元面積縮小約三分之一，同樣大小的晶片，儲存密度可提升 30% 至 50%。做法是把電晶體的通道從橫躺改成直立，代價是 6F² 時代的設計與製程流程不能完全沿用，要重建一套。

再講 VSG，也就是長鑫自研的垂直環繞閘極（Vertical Surrounding Gate）電晶體。閘極把直立的通道整圈包住，對電流的控制力更強，用來壓低漏電。漏電要緊，是因為電容留不住電荷，資料就會錯。

第三是混合鍵合（hybrid bonding）。它把儲存陣列和周邊邏輯電路分別做在兩片晶圓上，各自最佳化，再整片對貼接合。

至於 DDR5 RDIMM，是伺服器主流的記憶體模組規格。它要能全天候不間斷運轉，還必須和不同廠牌的 CPU 與主機板完成數百項相容性測試，門檻比手機、筆電用的記憶體高。

不過演講中沒有提這款產品的規格，發布日期僅說預計年底，良率、量產規模與客戶也都沒提。長鑫在 4F² 上有超過 300 件公開專利族，但從論文到賣進伺服器客戶手上，中間還隔著認證。

真的領先三星兩年嗎？

領先兩年這個說法，是外媒把長鑫年底推出，與三星 2028 年量產兩個時間直接相減得來的。但這個比法有問題，因為兩邊比的不是同一件事。長鑫的年底是產品亮相，三星的 2028 年，則是在 10 奈米以下節點大規模量產。

韓媒 The Elec 報導，三星今年 3 月已用 10a 製程產出晶圓，並在元件特性測試中確認有可運作的晶粒，這是三星首次採用 4F² 單元結構與垂直通道電晶體。10a 是第一個低於 10 奈米的 DRAM 製程節點。

三星的規劃是 2026 年完成開發、2027 年做品質測試、2028 年移轉到量產線。換句話說，三星手上早有做得出來的晶粒，2028 年指的是大量生產。

長鑫自己的位置呢？它在 9 月才公開第五代 DRAM 製程（G5）量產，業界普遍推測，首代 4F² 產品會建立在 G5 上，而不是一步跳到 10 奈米以下。這是推測，長鑫沒有證實。Futurum 半導體研究主管 Rolf Bulk 7 月接受 CNBC 訪問時表示，長鑫晶片的效能仍落後三大廠兩到三個世代，以每位元成本計算要多花 20% 到 30%，也就是做出同樣容量的記憶體，長鑫的成本比較高。

《首爾經濟日報》引述的韓國業界人士也有保留：「採用新技術，和建立穩定的量產體系，是兩回事。」

但這不代表長鑫沒有威脅。受出口管制限制，長鑫買不到 EUV（極紫外光）曝光機，也就是刻出最細線路要用的機器，沒辦法像三大廠那樣靠更細的線寬提高密度。4F² 則是維持線寬不變，靠改變單元排列來提高密度，這條路對長鑫的價值比對三星更高。