台積電要搶記憶體生意？業界：張忠謀早把答案寫在自傳裡

傳聞說台積電應輝達要求規劃 3D DRAM，但業界認為它做的是記憶體底下的邏輯層，不是儲存本身。
（前情提要：台積電傳進軍 3D DRAM 記憶體代工！三星、美光迎新強敵？）
（背景補充：HBM 記憶體已佔 AI 晶片 63%成本，海力士、三星、美光坐收算力定價權）

台積電要自己做記憶體？目前沒有任何證實。《The Information》11 月 6 日引述兩名直接知情人士，指台積電應最大客戶輝達的要求，近期開始規劃生產 3D DRAM，可能新建廠、也可能收購現有廠房改建。

不過業界的看法是，台積電會做的，是記憶體底下負責運算與溝通的那層邏輯晶片，不是存資料的記憶體本身。台積電回應不評論市場傳聞，重申專注邏輯晶片代工。

3D DRAM 裡，台積電可能做哪一層？

先說明兩個名詞：

HBM（高頻寬記憶體）是把好幾顆各自做好的 DRAM 晶片疊起來，最底下墊一顆基底晶粒（base die），負責跟 GPU 溝通。

3D DRAM 則不是疊晶片，而是在同一顆晶片裡，把存資料的記憶體單元一層層往上疊，概念類似已經量產的 3D NAND 快閃記憶體。難處在於存電荷的電容得做得又高又細，材料與製程難度極高。

業界向經濟日報表示，就算未來真走到邏輯晶片直接鍵合、再疊上 DRAM 單元的那一步，存資料的儲存陣列（cell array）仍是記憶體廠的本行。台積電顧的，會是最底部的控制器與邏輯層，或是它最拿手的 SoIC 混合鍵合封裝，也就是把晶片面對面直接接合的技術。

分工也有物理上的理由。TechNews 此前報導提到，邏輯電晶體追求高速切換，DRAM 要做高聳電容、壓低漏電，製造時的長時間高溫又限制了邏輯電晶體同片整合。

而這一層，台積電其實早就在做。SK 海力士從 HBM4 起，把基底晶粒交給台積電的邏輯製程代工。2026 年 10 月又傳出輝達的 NVHBM 架構，要把客製化的記憶體控制器直接做進基底晶粒，並要求三星、SK 海力士、美光的基底晶粒都用台積電的 3 奈米製程，據報三星已同意。

台積電的 3DFabric 聯盟裡，也本來就有美光、三星記憶體、SK 海力士三大原廠。

為什麼業界說台積電不會自己做 DRAM？

答案藏在二十多年前的一段舊事。

德碁半導體是宏碁與德州儀器合資、生產 DRAM 的公司，1990 年代後期 DRAM 價格崩盤，德碁虧損慘重，業界引述《張忠謀自傳》指出，施振榮因此請託張忠謀接手。台積電 1999 年先入股約三成，2000 年 6 月 30 日合併剩餘股權，兩座廠改名為 Fab 7、Fab 8。台積電 2000 年 7 月的新聞稿寫明，Fab 7 已有 75% 產能給台積電客戶使用。

業界向經濟日報表示，接手德碁後，張忠謀沒有繼續做 DRAM，反倒趕著把德碁的 8 吋廠改成邏輯代工線。他深知 DRAM「賺一年、賠三年」：標準型 DRAM 沒有定價權，砸下資本支出，報價一崩獲利就被吞光，週而復始。

另一層是商業模式。台積電的立身之本，是不跟客戶、合作夥伴搶生意，而美光、三星、SK 海力士既是客戶，也是 3DFabric 聯盟的夥伴。

換言之，台積電若下場自建 DRAM 產線，得先面對的，就是自己這一票合作夥伴。經濟日報引述的業界人士講得更重：「應該罰亂傳消息的人把張忠謀自傳讀一百次」。