SK 海力士新散熱技術 iHBM 傳進入量產規劃，熱阻號稱能降 30%

iHBM 是 SK 海力士 5 月公開的 HBM 散熱技術，公司稱熱阻可降低 30%。韓媒 10 月 21 日引述業界人士報導，SK 海力士開始與材料、零件和製程機具廠商討論量產，目標是 HBM5。
（前情提要：SK海力士正與主要客戶敲定 2027 年 HBM 供應與定價：不是單純看 DRAM 價格）
（背景補充：美光Hot Chips 2026警告：AI算力每兩年翻3倍、HBM頻寬提升不到2倍）

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韓國《電子新聞》10 月 21 日報導，SK 海力士最近已開始接洽國內外的材料、零件與製程機具供應商，討論怎麼把 iHBM 用到實際產品上，並規劃量產。這項 HBM 散熱技術 SK 海力士 5 月就公開了，新進度的是它往量產走了一步。

HBM（高頻寬記憶體）是放在 AI 晶片旁邊的高速記憶體，iHBM 若走到量產，最有關係的是買 HBM 的 AI 晶片客戶，以及同樣在做 HBM 的三星與美光。

HBM 為什麼會太燙

HBM 是把多層 DRAM 記憶體晶片垂直疊起來，放在 GPU（繪圖處理器）旁邊，讓 GPU 讀寫資料更快。層數越多、速度越快，發熱就越多。

最燙的地方在最底層。這一層叫 base die（底層晶片），裡面有一塊專門和 GPU 傳資料的介面電路，官方稱為 D2D PHY。ETNews 的解釋是，這些熱得先穿過上面的 DRAM 層才散得出去，效率很差。熱散不掉，電力效率會大幅下降，還可能造成效能下降、出錯與壽命縮短。以官方示意圖的畫法為例，熱要穿過 12 層 DRAM，才到得了頂端的冷卻板。

SK 海力士在 5 月 26 日的官方新聞稿中表示，iHBM 的做法是在 HBM 封裝裡放一根一體式冷卻元件（ICE），用不導電、但導熱性高的矽基材料做成，直接放進發熱最集中的 D2D PHY 區域，另外開出一條專用的散熱路徑。圖中那根藍色柱子就是 ICE，從介面電路一路通到頂端冷卻板，熱不必再穿過整疊 DRAM。

SK 海力士稱，這樣可以讓熱阻降低 30%。熱阻是熱「卡住」的程度，數字越低，熱越容易散出去，晶片溫度也越低。要留意的是，這是公司自己的數字，目前沒有第三方實測公開；官方英文稿寫 30%，韓文稿寫的是 30% 以上。

iHBM 什麼時候用得到，會影響誰

先看時間。SK 海力士的官方新聞稿說，iHBM 會用在 HBM5 等下一代產品，鎖定高效能運算與 AI 資料中心。ETNews 補充，依 SK 海力士的 HBM5 路線圖，產品預計 2029 年推出，公司目前正用 TSMC 的 CoWoS 驗證 HBM5。CoWoS 是 TSMC 把 GPU 和 HBM 放在同一塊中介層上的先進封裝技術。換言之，iHBM 離市場還有好幾年。

再看供應鏈。官方新聞稿說，iHBM 以已在市場驗證過的 Advanced MR-MUF 為基礎，採晶圓級封裝製程，可穩定大量生產。MR-MUF 是 SK 海力士的招牌疊晶片工法，把晶片疊好後一次灌入液態保護材料，填滿縫隙再固化。ETNews 因此預期，iHBM 的供應鏈會和現有 HBM 相近；據悉 SK 海力士也在研究，除了現有供應鏈，是否擴大到能提升效能與生產力的廠商。

最後看客戶。官方稱 iHBM 和客戶現有的 SiP（System-in-Package，把不同功能的晶片放進同一個封裝）設計高度相容，客戶不必大改設計。這一點值得一提，因為韓國財經媒體《E-Today》5 月報導，輝達、AMD 這類 AI 晶片客戶近來向 HBM 供應商提出的要求，比起單純拉高效能，更看重發熱管理與電力效率，原因是熱直接關係資料中心能不能穩定運作。至於哪家客戶、哪一款產品會先採用，SK 海力士沒有透露。

SK 海力士為什麼現在急著推

因為龍頭的位置在鬆動。根據研究機構 Counterpoint 的統計，2026 年第二季 HBM 營收，SK 海力士拿下 50%，仍是第一，但比第一季的 58% 少了 8 個百分點；三星從 21% 升到 33%，美光從 21% 降到 18%。反觀對手的動作，《E-Today》指出，三星在下一代 HBM 加強混合鍵合與低功耗設計，美光則主打低功耗 HBM。

SK 海力士自己在 7 月 29 日的第二季法說會上也提到，除了混合鍵合，也在開發能控制 HBM5 等下一代產品發熱的 iHBM，並認為未來 HBM 市場除了效能，量產良率、品質與穩定供貨能力會越來越重要。ETNews 引述的業界人士則評論，競爭對手靠技術升級與擴產猛追，SK 海力士想在下一代市場靠技術差異化守住優勢。

綜合來看，iHBM 目前是一張官方示意圖、一個公司自己的 30%，加上一則韓媒引述業界人士的供應鏈說法。散熱能不能幫 SK 海力士守住龍頭，還得等供應商、良率與第三方測試有了答案才算數。