特斯拉與 SpaceX 執行長 Elon Musk（馬斯克）於台北時間 10 月 14 日清晨在 X 發文，讚揚美光（Micron）對未來記憶體價格態度合理，並批評其他業者屬敲詐式定價，強調今日客戶不會忘記。
（前情提要：三星傳出 Q3 DRAM 再漲 20%！一年漲三次，AI 排擠產能燒向手機、PC）
（背景補充：高盛看爆：儲存缺貨飆到 2028，三星海力士集體上調）
馬斯克於台北時間 10 月 14 日清晨 5 時 52 分在 X 回覆一則討論摩根大通記憶體報告的貼文，肯定美光對未來記憶體價格態度合理，同時痛批其他供應商屬「extortionate」定價，並寫道今日客戶不會忘記；他另稱美光此舉有利長期客戶忠誠。
Micron has been reasonable regarding future memory prices, while others have been extortionate, which is something today’s customers won’t forget …
Micron is making is the smart move for long-term customer loyalty.
— Elon Musk (@elonmusk) October 13, 2026
回覆摩根大通多頭摘要，只點名美光
馬斯克回覆分析師 Nicholas Mugalli 稍早貼文：該文轉述摩根大通對記憶體與儲存的多頭看法，並標註 $MU、$SKHY、$SNDK。據 Benzinga 報導，摩根大通指出美光已簽 26 份戰略客戶協議，涵蓋至 2030 年逾 35% 預期營收，客戶承諾（含現金保證金）約 320 億美元，剩餘履約義務約 1,500 億美元；管理層亦預期 2027、2028 年供需將比 2026 更緊。馬斯克只點名美光，未說「others」是誰。全球 DRAM／HBM 雖以三星、SK 海力士與美光為三大廠，但據 Seoul Economic Daily 報導，外界推測指向韓系兩廠仍屬解讀；馬斯克既未具名，也未公開談判對象或報價，動區不臆測。
AI／HBM 吃掉產能，缺貨恐延至 2028
這波漲價來自結構性供需錯位：AI 資料中心狂推高頻寬記憶體（HBM），三大廠把更多晶圓與無塵室轉向毛利更高的 HBM，排擠傳統 DRAM，NAND 亦連帶吃緊。據 TechRepublic 整理，美光執行長 Sanjay Mehrotra 在財報準備稿預期，2027、2028 年記憶體與儲存供需將比 2026「更緊」；逾 75% 的 2027 年產出已鎖定，多數新客戶討論已轉向 2028。HBM 單位位元需更多晶圓與無塵室，新廠又無法立刻放量，買方議價空間被壓縮，大客戶才會對「未來價格是否合理」特別敏感。
客戶忠誠對上漲價話語權
缺貨週期中，長約與保證金成為鎖量鎖價工具，但大客戶也會記住誰在高峰期殺價過狠。馬斯克把美光與未具名其他業者對比，核心是：短期敲詐式報價，可能換來長期訂單流失。其旗下特斯拉、SpaceX／xAI 高度依賴記憶體，但本則貼文未揭露自家採購對象；市場先前已知他曾公開感謝美光提供合理條件的產能配置，本次則是替美光定價策略公開背書，並向產業釋出「客戶不會忘記」的警告。
整體而言，馬斯克在台北時間 10 月 14 日清晨的貼文，為這輪 AI 記憶體超級週期添上一筆買方怒火：肯定美光未來定價合理、爭取長期忠誠，同時痛批其他業者敲詐式漲價。在缺貨可能延續至 2027、2028 年、長約鎖死產能的背景下，定價已是客戶關係與市佔爭奪的戰場。至於「others」指誰，在具名前仍屬市場解讀，不宜逕自點名。
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