三星與SK集團準備在未來十年投入2,000兆韓元（約1.3兆美元），打造韓國西部半導體超級叢聚。
（前情提要：DRAM 準備暴漲！三星罷工投票結束，現在買黃金不如買記憶體？）
（背景補充：GraniteShares 將推美股首檔「SK 海力士 2 倍槓桿 ETF」，程式碼 $SKUU 曝光）
三星集團與SK集團準備在近期公布一項龐大投資計畫——未來十年內，兩家企業合計將在韓國本土投入高達2,000兆韓元（約1.3兆美元），大規模擴建半導體製造能力。
這項投資規模創下韓國企業史上的最高紀錄，也是韓國總統李在明旗艦產業戰略的核心支柱。《韓國經濟日報》2026年6月29日率先報導，兩家巨頭將各自在光州地區建設4至5座半導體工廠，打造韓半島西部的「半導體超級叢聚」。
投資分布：光州、忠清南道、忠清北道三大據點
根據報導，兩家巨頭的投資部署如下：
- 三星電子：光州4至5座晶圓廠、忠清南道封裝廠
- SK海力士：光州4至5座晶圓廠、忠清北道NAND擴廠
光州同時成為兩家巨頭的兵家必爭之地，意味著未來十年該地區將迎來前所未有的半導體產能擴張。分析師指出，光州得天獨厚的地理位置與政府補貼政策，使其成為韓國西部半導體走廊的核心樞紐。
韓國股市的「先跌後漲」邏輯
投資訊息公布前夕，KOSPI 綜合指數一度下跌逾3%，三星電子與SK海力士分別下跌約5%與4.5%。市場解讀為「大型投資計畫預示產能擴張，短期資本支出增加將拖累獲利」。但首爾 NH 投資證券指出，本次投資的受益板塊不僅限於半導體本身——特種電力裝置、電網基建、建築工程三大產業鏈將直接受惠。
尤金證券分析師 Huh Jae-Hwan 表示：「韓國本土股市的核心問題是除半導體外缺乏具競爭力的替代賽道。這次大型產業專案正好填補了這一缺口。」截至目前，KOSPI 今年已上漲約 93%。
臺灣角度：同樣的半導體豪賭，不同的出廠牌
臺灣半導體產業同樣處於產能擴張週期。臺積電 2026 年資本支出達 1.6 兆新臺幣（約 510 億美元），三星與 SK 海力士各自十年 1,000 兆韓元（約 650 億美元）的投資規模，已逼近臺積電五年投資總額。若將兩家合併計算，2,000 兆韓元的總額甚至超過臺積電十年投資計畫。
這反映出全球記憶體市場的競爭邏輯——三星與 SK 海力士合計佔全球 DRAM 市佔率逾 70%、NAND 市佔率逾 50%。要維持領先優勢，持續的資本支出是唯一選項。而這次「千億級」投資計畫，也意味著兩家公司將把資源更集中投向先進製程與 HBM（高頻寬記憶體）領域。
時間軸與產業影響
本次投資計畫的公布時間點值得關注——6月29日正值四大央行（聯準會、歐洲央行、英國央行、加拿大央行）聚首辛特拉論壇的前夕，全球市場焦點高度集中。三星與 SK 集團選擇此時宣布，有意識地將韓國半導體擴張與全球貨幣政策敘事連結在一起。
對臺灣投資人而言，這也提供了觀察韓國半導體供應鏈的切入點。光州與忠清道的新廠建設，意味著未來兩三年的建築工程、裝置安裝、電力基礎設施需求將大幅攀升。若臺灣裝置供應商能切入供應鏈，這波投資潮同樣是實質利多。
